LISTA KATEGORII:
Tranzystory
Tranzystor o symbolu : 14NK60ZFP (STP14NK60ZFP) PLASTIC »
ID produktu: 11211
Stan magazynowy: chwilowo niedostępny
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor STP14NK60ZFP (14NK60ZFP) PLASTIC
Tranzystor STP14NK60ZFP, znany również jako 14NK60ZFP, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, przeznaczonym do pracy w obwodach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 14A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
Tranzystor STP14NK60ZFP (14NK60ZFP) PLASTIC
Tranzystor STP14NK60ZFP, znany również jako 14NK60ZFP, jest elementem półprzewodnikowym MOSFET typu N, przeznaczonym do pracy w obwodach o wysokim napięciu. Charakteryzuje się maksymalnym napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 600V oraz prądem drenu ID do 14A. Znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, od zasilaczy po przetwornice częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : 15N50C3 METAL (TO-220) »
ID produktu: 13610
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 15N50C3 METAL (TO-220)
Tranzystor 15N50C3, zamknięty w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS równym 500V oraz prądem drenu ID o wartości 15A. Urządzenie to operuje przy maksymalnej temperaturze pracy wynoszącej 150°C. Integralnym elementem tranzystora jest zintegrowany diodowy układ zabezpieczający przed przepięciami. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor 15N50C3 METAL (TO-220)
Tranzystor 15N50C3, zamknięty w obudowie METAL (TO-220), charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS równym 500V oraz prądem drenu ID o wartości 15A. Urządzenie to operuje przy maksymalnej temperaturze pracy wynoszącej 150°C. Integralnym elementem tranzystora jest zintegrowany diodowy układ zabezpieczający przed przepięciami. Dzięki swojej konstrukcji, tranzystor znajduje zastosowanie w szerokim spektrum części elektronicznych, w tym w zasilaczach impulsowych i przekształtnikach częstotliwości.
Tranzystor o symbolu : 15N60C3 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 11212
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 15N60C3 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 15N60C3, wyprodukowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 600V oraz maksymalnym prądem drenu ID na poziomie 15A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
Tranzystor 15N60C3 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 15N60C3, wyprodukowany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-źródła VDS wynoszącym 600V oraz maksymalnym prądem drenu ID na poziomie 15A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, jest przeznaczone do zastosowań w przekształtnikach mocy, zasilaczach impulsowych i innych aplikacjach wymagających wysokiej wydajności przełączania.
Tranzystor o symbolu : 15N65 PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 10710
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 15N65 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 15N65 PLASTIC, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 650V oraz prądem drenu 15A. Urządzenie to, wykorzystywane w aplikacjach o wysokiej efektywności, jest częścią kluczową w projektowaniu zaawansowanych układów elektronicznych. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi systemami.
Tranzystor 15N65 PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 15N65 PLASTIC, wykonany w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source wynoszącym 650V oraz prądem drenu 15A. Urządzenie to, wykorzystywane w aplikacjach o wysokiej efektywności, jest częścią kluczową w projektowaniu zaawansowanych układów elektronicznych. Dostęp do szerokiej gamy części elektronicznych umożliwia integrację z różnorodnymi systemami.
Tranzystor o symbolu : 15N80K PLASTIC (TO-220F) »
ID produktu: 14042
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 15N80K PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 15N80K PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 15A. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji w przekształtnikach i zasilaczach, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C. W kontekście części elektronicznych, tranzystor 15N80K wyróżnia się również niskimi stratami przełączania dzięki technologii Super Junction.
Tranzystor 15N80K PLASTIC (TO-220F)
Tranzystor 15N80K PLASTIC, w obudowie TO-220F, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 15A. Urządzenie to, dedykowane do aplikacji w przekształtnikach i zasilaczach, operuje w zakresie temperatur od -55°C do +150°C. W kontekście części elektronicznych, tranzystor 15N80K wyróżnia się również niskimi stratami przełączania dzięki technologii Super Junction.
Tranzystor o symbolu : 16N25C (FQP16N25C) METAL (TO-220) »
ID produktu: 12179
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »FQP16N25C METAL (TO-220)
Tranzystor FQP16N25C, w obudowie typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 250V oraz prądem drenu ID o wartości 16A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, zapewniającą wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy. Specyfikacja obejmuje również niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na lepszą efektywność w aplikacjach przełączających.
FQP16N25C METAL (TO-220)
Tranzystor FQP16N25C, w obudowie typu TO-220, charakteryzuje się napięciem dren-źródło VDS wynoszącym 250V oraz prądem drenu ID o wartości 16A. Urządzenie to, należące do części elektronicznych, wykorzystuje technologię MOSFET, zapewniającą wysoką wydajność przy minimalnych stratach mocy. Specyfikacja obejmuje również niską rezystancję kanału RDS(on), co przekłada się na lepszą efektywność w aplikacjach przełączających.
Tranzystor o symbolu : 16N50 (FDP16N50) METAL (TO-220) »
ID produktu: 11812
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 16N50 (FDP16N50) METAL (TO-220)
Model 16N50 (FDP16N50), wykonany w obudowie METAL (TO-220), jest tranzystorem MOSFET typu N o maksymalnym napięciu dren-źródło wynoszącym 500V i prądzie drenu do 16A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną w aplikacjach przemysłowych. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 16N50 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur, co jest istotne przy projektowaniu układów mocy.
Tranzystor 16N50 (FDP16N50) METAL (TO-220)
Model 16N50 (FDP16N50), wykonany w obudowie METAL (TO-220), jest tranzystorem MOSFET typu N o maksymalnym napięciu dren-źródło wynoszącym 500V i prądzie drenu do 16A. Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie przewodzenia, co przekłada się na efektywność energetyczną w aplikacjach przemysłowych. Dla inżynierów i projektantów części elektronicznych, 16N50 oferuje stabilne parametry w szerokim zakresie temperatur, co jest istotne przy projektowaniu układów mocy.
Tranzystor o symbolu : 17N20D = FS17N20D SMD (TO-263) »
ID produktu: 13349
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 17N20D = FS17N20D SMD (TO-263)
Model FS17N20D, w obudowie SMD typu TO-263, to tranzystor typu MOSFET N-kanałowy, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=200V, prądem drenu Id=17A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co minimalizuje straty mocy. Dedykowany dla części elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy w kompaktowych rozwiązaniach.
Tranzystor 17N20D = FS17N20D SMD (TO-263)
Model FS17N20D, w obudowie SMD typu TO-263, to tranzystor typu MOSFET N-kanałowy, zaprojektowany do zastosowań w wysokonapięciowych obwodach przełączających. Charakteryzuje się napięciem drenu-źródła Vds=200V, prądem drenu Id=17A oraz niską rezystancją w stanie przewodzenia Rds(on), co minimalizuje straty mocy. Dedykowany dla części elektronicznych wymagających efektywnej kontroli mocy w kompaktowych rozwiązaniach.
Tranzystor o symbolu : 17N80C3 METAL (TO-220) »
ID produktu: 10616
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 17N80C3 METAL (TO-220)
Tranzystor 17N80C3 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 17A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, zapewnia niskie RDS(on) dla zwiększenia efektywności energetycznej. Wskazane jest do wykorzystania w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe czy inwertery.
Tranzystor 17N80C3 METAL (TO-220)
Tranzystor 17N80C3 METAL, w obudowie TO-220, charakteryzuje się maksymalnym napięciem drenu-source VDS wynoszącym 800V oraz prądem drenu ID na poziomie 17A. Urządzenie to, dedykowane do zastosowań w wysokonapięciowych układach przełączających, zapewnia niskie RDS(on) dla zwiększenia efektywności energetycznej. Wskazane jest do wykorzystania w zaawansowanych częściach elektronicznych, takich jak zasilacze impulsowe czy inwertery.
Tranzystor o symbolu : 18N20GS SMD (TO-252) »
ID produktu: 11438
Stan magazynowy: w magazynie
Kategoria: Tranzystory
ZOBACZ WIĘCEJ »Tranzystor 18N20GS SMD (TO-252)
Tranzystor 18N20GS, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 200V oraz maksymalnym prądem drenu wynoszącym 18A. Wyróżnia się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej niezawodności.
Tranzystor 18N20GS SMD (TO-252)
Tranzystor 18N20GS, w obudowie SMD typu TO-252, charakteryzuje się napięciem przewodzenia do 200V oraz maksymalnym prądem drenu wynoszącym 18A. Wyróżnia się niską rezystancją kanału przy Vgs=10V, co przekłada się na efektywność w aplikacjach przełączających. Idealnie nadaje się do zastosowań w przetwornicach, zasilaczach impulsowych oraz innych częściach elektronicznych wymagających komponentów o wysokiej niezawodności.
